GCS聯(lián)合投產(chǎn)瞄準(zhǔn)高端射頻前端應(yīng)用

GCS高端化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目由美國GCS公司、武岳峰資本、臺(tái)灣晶元光電股份有限公司、無錫卓勝微電子等投資，總投資100億元。

GCS高端化合物半導(dǎo)體制造項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年年底投產(chǎn)，目前項(xiàng)目一期正在對(duì)晶品光電（常州）有限公司的現(xiàn)有空置廠房4000平方米場(chǎng)地進(jìn)行裝修改造，預(yù)計(jì)今年底能夠投產(chǎn)。

項(xiàng)目通過建設(shè)化合物半導(dǎo)體及微機(jī)電系統(tǒng)生產(chǎn)線，用于高端射頻前端應(yīng)用及光電子應(yīng)用的半導(dǎo)體制造。

宏捷科明年擴(kuò)產(chǎn)增幅最大

宏捷科今年以來由于臺(tái)灣地區(qū)IC設(shè)計(jì)客戶Wi－Fi6產(chǎn)品拉貨需求強(qiáng)勁，以及大陸地區(qū)IC設(shè)計(jì)客戶轉(zhuǎn)單效應(yīng)持續(xù)發(fā)揮。

因而增加4G PA委外予宏捷科代工，甚至連5G PA也有部分開始轉(zhuǎn)單，使?fàn)I收占比再度明顯回升，帶動(dòng)宏捷科今年前11個(gè)月營收31．96億元、年增65％。

宏捷科因應(yīng)美系射頻元件客戶轉(zhuǎn)單持續(xù)、切入美系及中系5GPA客戶、Wi－Fi6需求持續(xù)，明年1月新廠將新增5千片月產(chǎn)能，預(yù)計(jì)開出后即可填滿，并計(jì)劃再啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)。

整體明年新廠合計(jì)將開出1．2萬片月產(chǎn)能，將較目前約1萬片月產(chǎn)能高一倍以上；宏捷科原本規(guī)畫明年擴(kuò)產(chǎn)5千片月產(chǎn)能，如今擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃提前、規(guī)模提升，顯示接單需求增加。

穩(wěn)懋在今年3月加碼砷化鎵代工二哥宏捷科，并持股1．06％，成為后者前十大股東。

硅芯片大廠環(huán)球晶與宏捷科的策略私募入股，集成上下游產(chǎn)業(yè)鏈的能力完成互補(bǔ)，加快開發(fā)腳步以及瓶頸，打團(tuán)戰(zhàn)比單打獨(dú)斗，更快可獲取市場(chǎng)。

中美晶宣布斥資34．965億新臺(tái)幣參與臺(tái)灣砷化鎵代工廠宏捷科私募案，將持有宏捷科22．53％股權(quán)成為大股東。

看準(zhǔn)氮化鎵代工是下一個(gè)重要征程

今年以來，氮化鎵器件不僅隨著5G建設(shè)的快速發(fā)展而大規(guī)模出貨，而且在手機(jī)充電器領(lǐng)域也獲得了OPPO、小米、華為等眾多手機(jī)品牌的青睞，市場(chǎng)應(yīng)用正在加速擴(kuò)張。

在晶圓代工產(chǎn)能方面，臺(tái)灣砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋已開始提供6英寸GaN－on－SiC晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用瞄準(zhǔn)高功率PA及天線；

而美國砷化鎵晶圓代工廠商環(huán)宇也擁有4英寸GaN－on－SiC高功率PA產(chǎn)能，且6英寸GaN－on－SiC晶圓代工技術(shù)已通過認(rèn)證。

國內(nèi)方面，三安集成已經(jīng)推出了氮化鎵E－HEMT工藝的晶圓代工；海威華芯也開始提供6英寸GaN－on－SiC晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用以射頻工藝為主，功率GAN器件代工也在研發(fā)中。

結(jié)尾：

未來氮化鎵等化合物半導(dǎo)體材料元件不管是應(yīng)用于車用充電樁、消費(fèi)3C產(chǎn)品快充的功率元件、或是射頻、基地臺(tái)用微波通訊元件，應(yīng)用量能沖刺可期。

化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)也將隨之增長，包括臺(tái)積電、漢磊、世界先進(jìn)等晶圓代工廠以及穩(wěn)懋、宏捷科、環(huán)宇、三安集成、海威華芯等砷化鎵代工廠也將開啟新的征程。