產(chǎn)業(yè)鏈——應(yīng)用于集成電路制造的核心環(huán)節(jié)

CMP技術(shù)，即化學(xué)機(jī)械拋光，為集成電路制造的核心技術(shù)，主要目的為實(shí)現(xiàn)芯片平坦化。

CMP設(shè)備為CMP技術(shù)應(yīng)用的載體，為集機(jī)械學(xué)、流體力學(xué)、材料化學(xué)、精細(xì)化工、控制軟件等多領(lǐng)城最先進(jìn)技術(shù)于一體的設(shè)備，一般由檢測(cè)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、拋光墊、廢物處理系統(tǒng)等組成，是集成電路制造設(shè)備中較為復(fù)雜和研制難度較大的設(shè)備之一。

產(chǎn)業(yè)政策——致力核心技術(shù)突破與應(yīng)用

我國(guó)政策對(duì)于CMP設(shè)備行業(yè)的推動(dòng)主要體現(xiàn)在對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的相關(guān)規(guī)劃和促進(jìn)上。例如在《中國(guó)制造2025》中明確提出，要形成包括CMP設(shè)備在內(nèi)集成電路關(guān)鍵制造設(shè)備的供貨能力；《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2019年版）》中也將雙面化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備、硅片單面拋光機(jī)、銅化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等CMP設(shè)備列入了其中，可見(jiàn)我國(guó)對(duì)于發(fā)展CMP設(shè)備的支持力度。

技術(shù)工藝——步驟逐漸增多

CMP技術(shù)的概念是1965 年由Monsanto 首次提出。該技術(shù)最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如軍用望遠(yuǎn)鏡等。1988 年IBM 開(kāi)始將CMP  技術(shù)運(yùn)用于4M DRAM 的制造中，而自從1991 年IBM將CMP 成功應(yīng)用到64M DRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP 技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來(lái)。

近年來(lái)，CMP技術(shù)從Planar Logic發(fā)展到3D FinFET，從2D NAND發(fā)展到3D  NAND。隨著CMP工藝的演變，CMP步驟（循環(huán)次數(shù)）也在逐漸加多。其產(chǎn)物的表面也越來(lái)越精細(xì)。